立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5209.pdf: 221881 bytes, checksum: 7b5777701dc41f37ee14f356f2e0eb5d (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所;地质矿产部矿床地质所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
渠波;郑新和;王玉田;韩景仪;徐大鹏;林世鸣;杨辉;梁骏吾.立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征,中国科学. E辑，技术科学,2001,31(3):217 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
