GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5528.pdf: 269788 bytes, checksum: c05ad715f279a61d2ef3b6f26a03e6f9 (MD5) Previous issue date: 1999 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙小玲;杨辉;李国华;郑联喜;李建斌;王玉田;王占国.GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究,半导体学报,1999,20(3):225 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
