生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长，用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射1.3μm AlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料，为器件制作研究打下了基础。 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈博;王圩.生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响,半导体学报,1999,20(12):1054 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
