InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论。 该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5482.pdf: 217334 bytes, checksum: 9ff8b304d994859be97ac451722dc60b (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
谭满清;茅冬生.InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术,半导体学报,1999,20(10):941 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
