InGaAs/InP中离子注入和新型HPT


Autoria(s): 李国辉; 杨茹; 于民; 韩卫; 曾一平
Data(s)

2000

Resumo

北京市基金,国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18447

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103861

Idioma(s)

中文

Fonte

李国辉;杨茹;于民;韩卫;曾一平.InGaAs/InP中离子注入和新型HPT,功能材料与器件学报,2000,6(3):259

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文