MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
采用高温热退火的方法，在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化。报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征。在GaN/GaAs之间存在一个界面层，高温退火时，来自界面层的TO_B，LO_B声子的强度降低，而来自六角相的E_2声子增强，说明六角相含量增加。样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因。在较低的温度下，六角相含量没有明显变化，而且与退火时间无关。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙小玲;杨辉;王玉田;李国华;郑联喜;李建斌;徐大鹏;王占国.MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究,中国科学. A辑，数学 ,1999,29(5):444 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
