Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:15导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5341.pdf: 161321 bytes, checksum: 78741479e15dc441cfef52e659620e26 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金,国家973计划 中科院半导体所 国家自然科学基金,国家973计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙国胜;罗木昌;王雷;朱世荣;李晋闽;林兰英.Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长,材料科学与工艺,2001,9(3):253 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
