窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积（NSAG－MOCVD）成功生长的InP系材料，并提出在NSAG－MOCVD生长研究中，引入填充因子的必要性，给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式，计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系。与实验结果作了比较，发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度，InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关，同时也依赖于生长厚度，且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加。 国家973计划资助项目(No.G2 683-1) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张瑞英;董杰;周帆;冯志伟;边静;王圩.窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子,半导体学报,2002,23(4):399-402 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
