Si（001）衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5212.pdf: 214045 bytes, checksum: 33ecb55f6c6c5a326f47a6dd133cc753 (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑新和;渠波;王玉田;戴自忠;杨辉;梁骏吾.Si（001）衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量,中国科学. A辑，数学,2001,31(3):242 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
