半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:51导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5460.pdf: 312636 bytes, checksum: 6e000e539e914205efb6256d44b13a9f (MD5) Previous issue date: 2000 国家863计划 中科院半导体所国家光电技术研究中心 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
许国阳;颜学进;朱洪亮;段俐宏;周帆;田慧良;白云霞;王圩.半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器,半导体学报,2000,21(2):188 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
