InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料，并对材料的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究。用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4V驱动电压下实现了20dB以上消光比，光3dB带宽达3GHz。

980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件

利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A，线性输出功率大于150mW，基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为40mW，最大值可达60mW，显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40～60mW下，中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/InGaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的"蓝移".认为这一跃迁能量的"蓝移"是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果.

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x

用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A/cm~2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为15mA，外微分量子效率的典型值和最好值分别为0.8mW/mA和10.mW/mA，线性输出功率大于120mW，在20℃-50℃的特征温度T_0为125K。器件在50℃，80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性，与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW。

MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响

采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的闽值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的闽电流匠典型值为160mA/CM~2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器，闽值电流为16nA,外微分量子效率为0.4mW/mA,激射波和工为976±2nm，线性输出功率为100mW。

表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变

报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变.

低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％。

MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法

采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂。表明当InGaAs层厚度较厚(-2μm)时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态。其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数(△α/α-10~(-3))。并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变。在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x。

δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型

首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性。根据这个模型，应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度，模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子阱中。详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化。

InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究

通过吸收光电流谱的测量,观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性,报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合.

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。