低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐遵图;徐俊英;杨国文;张敬明;陈昌华;何晓曦;陈良惠;沈光地.低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,半导体学报,1997,18(5):321 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
