InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
通过吸收光电流谱的测量,观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性,报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合. 通过吸收光电流谱的测量,观察到用国产MBE设备生长的与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性,报道了可用于波导型调制器制作的MQW样品材料的X射线双晶衍射结果,并用计算机模拟出与实测十分相似的曲线,得到了可靠的量子阱结构,证明样品材料具有优良的外延质量.利用等效无限深阱模型进行的理论计算表明,应考虑样品p-i-n结内建电场的影响,才能使算出的吸收边红移与实验值符合. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:13导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5867.pdf: 514561 bytes, checksum: bd0a77e03db9f93a011e4dc4cfcfef51 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 清华大学电子工程系;中科院半导体所;中科院物理所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
俞谦;王健华;李德杰;王玉田;庄岩;姜炜;黄绮;周钧铭.InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究,物理学报,1996,45(2):274 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
