InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料，并对材料的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究。用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4V驱动电压下实现了20dB以上消光比，光3dB带宽达3GHz。 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王健华;金峰;俞谦;孙可;李德杰;蔡丽红;黄绮;周钧铭;王玉田;庄岩.InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器,半导体学报,1998,19(1):43 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
