980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A，线性输出功率大于150mW，基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为40mW，最大值可达60mW，显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40～60mW下，中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。 利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A，线性输出功率大于150mW，基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为40mW，最大值可达60mW，显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40～60mW下，中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:29导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5743.pdf: 277918 bytes, checksum: c0f9e51f5781964d49c78230ff71f09a (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所;北京工业大学 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐遵图;徐俊英;杨国文;张敬明;肖建伟;陈良惠;沈光地.980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件,中国激光,1997,24(10):873 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
