MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的闽值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的闽电流匠典型值为160mA/CM~2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器，闽值电流为16nA,外微分量子效率为0.4mW/mA,激射波和工为976±2nm，线性输出功率为100mW。 采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的闽值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的闽电流匠典型值为160mA/CM~2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器，闽值电流为16nA,外微分量子效率为0.4mW/mA,激射波和工为976±2nm，线性输出功率为100mW。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:43导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5790.pdf: 181284 bytes, checksum: 1caf5cd13ee043536e0b9d9267dff3bc (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
曾一平;孔梅影;王晓亮;朱世荣;李灵霄;李晋闽.MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响,电子显微学报,1997,16(4):381 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
