表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王小军;刘伟;胡雄伟;庄婉如;王启明.表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变,半导体学报,1997,18(1):4 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
