超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x<y).阱层处于压缩应变,垒层处于伸张应变,其厚度均小于Matthaews-Blakeslee(M-B)平衡理论计算的临界厚度.透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现,GaAs/In_yGa_(1-y)As界面铟组分过渡区比In_yGa_(1-y)As/GaAs界面铟组份过渡区窄;In_yGa_(1-y)As合金阱层中,靠近GaAs/In_yGa_(1-y)As界面一端的铟组分更大.用In_yGa_(1-y)As合金层中铟的分凝理论解释了超晶格中铟组分的分布特征.透射电子显微观察表明,GaAs/In_yGa_(1-y)As界面比In_yGa_(1-y)As/GaAs界面平整.提出一种新的弛豫机制来解释压缩应变和伸张应变的不同,对两个界面特性的差异给予解释.

In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x<y).阱层处于压缩应变,垒层处于伸张应变,其厚度均小于Matthaews-Blakeslee(M-B)平衡理论计算的临界厚度.透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现,GaAs/In_yGa_(1-y)As界面铟组分过渡区比In_yGa_(1-y)As/GaAs界面铟组份过渡区窄;In_yGa_(1-y)As合金阱层中,靠近GaAs/In_yGa_(1-y)As界面一端的铟组分更大.用In_yGa_(1-y)As合金层中铟的分凝理论解释了超晶格中铟组分的分布特征.透射电子显微观察表明,GaAs/In_yGa_(1-y)As界面比In_yGa_(1-y)As/GaAs界面平整.提出一种新的弛豫机制来解释压缩应变和伸张应变的不同,对两个界面特性的差异给予解释.

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中科院半导体所;北京电子显微镜开放实验室