AlGaAs/GaAs HEMT中界态对沟道层电场特性影响的二维数值研究

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Autoria(s): 张兴宏; 杨玉芬; 王占国

Data(s)	1998
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19215 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104245
Idioma(s)	中文
Fonte	张兴宏;杨玉芬;王占国.AlGaAs/GaAs HEMT中界态对沟道层电场特性影响的二维数值研究,半导体学报,1998,19(3):191
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文