气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
袁瑞霞;阎春辉;国红熙;李晓兵;朱世荣;曾一平;李灵霄;孔梅影.气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料,半导体学报,1996,17(1):6 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
