1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长

通过引入较长停顿时间，采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点，在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰。通过AFM和PL谱的联合研究，表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成。

1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究

用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料，并制成发光二极管，对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰，分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明，由于能态填充效应的影响，适当增大量子点发光器件有源区长度，更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。

InAs自组织量子点（线）的制备和表征

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料，通过改变生长方式，得到了InAs量子点和量子线。根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析，认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件，停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[1(1-bar)0]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点。讨论了量子点和量子线的形成机量。

不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

研究了不同In组分的In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响。透射电子显微镜和原子力显微表明，InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小，并且x=0.3时，InGaAs在InAs量子点上继续成岛。随x值的增大，量子点的光荧光峰红移，但随温度的变化发光峰峰位变化不明显。理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因。

GaAs（311）A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性

于2010-11-23批量导入

自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度关系不大；激子寿命与温度有一定的关系，但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关；用粒子数混合技术，实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程。

自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器

利用分子束外延技术和Stranski-Krastanow生长模式，系统研究In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化。通过调节实验条件，可以对量子点的空间排列及有序性进行控制，并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越。研制出激射波长λ=960nm，条宽100μm，腔长800μm的InAs/GaAs量子点激光器，室温连续输出功率大于1W，室温阈值电流密度218A/cm~2,0.53W室温连续工作寿命超过3000h。

InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究

用简并激发-探测技术研究了77K温度下InAs/GaAs量子点中载流子快速俘获的弛豫过程。在瞬态反射谱测量中，除观察到与GaAs有关的驰豫过程外(时间常数约为1ps)，还观察到一个时间常数为几个至20ps的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被InAs层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。

低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究

利用退火技术，实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明，低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子点明显变小，且密度变大，认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的

杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响

研究了较低掺杂浓度对InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响。光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄。该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点。该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义。

InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒

成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs自组织生长的量子点的电学性质，测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为0.26eV。首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒，相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助。

1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

于2010-11-23批量导入

Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性

首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明，较低掺杂浓度时，发光峰蓝移，同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响，发光强度明显变弱。相信该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。

分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果，并对量子点的结构特性进行邓讨论。结果表明

快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）

系统地研究了快速热退火对带有3nm In_xGa_(1-x)As(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃，量子点发光峰的蓝移趋势是相似的。但是，量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外，在较高的退火温度下观测到InGaAs的发光峰。