1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
通过引入较长停顿时间，采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点，在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰。通过AFM和PL谱的联合研究，表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成。 通过引入较长停顿时间，采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点，在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰。通过AFM和PL谱的联合研究，表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:52导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5030.pdf: 214491 bytes, checksum: 9fde854dd5666fba309441f0f4f2fd43 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（No.6 176 6和6 2541 ),中国科学院纳米科学与技术资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（No.6 176 6和6 2541 ),中国科学院纳米科学与技术资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
澜清;周大勇;孔云川;边历峰;苗振华;牛智川;封松林.1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长,人工晶体学报,2002,31(5):464-467 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
