自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度关系不大；激子寿命与温度有一定的关系，但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关；用粒子数混合技术，实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程。 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吕振东;李晴;许继宗;郑宝真;徐仲英;葛惟锟.自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究,物理学报,1999,48(4):744 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
