杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
研究了较低掺杂浓度对InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响。光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄。该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点。该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义。 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王海龙;朱海军;李晴;宁东;汪辉;王晓东;邓元明;封松林.杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响,红外与毫米波学报,1999,18(6):423 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
