Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明，较低掺杂浓度时，发光峰蓝移，同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响，发光强度明显变弱。相信该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王海龙;朱海军;封松林;宁东;汪辉;王晓东;江德生.Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性,发光学报,2000,21(1):20 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
