低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
利用退火技术，实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明，低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子点明显变小，且密度变大，认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的 利用退火技术，实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长。透射电镜(TEM)研究表明，低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子点明显变小，且密度变大，认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5228.pdf: 362730 bytes, checksum: b5a68c3028350b229c1f1337a07b3530 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金,国家攀登计划 中科院半导体所 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓东;汪辉;王海龙;牛智川;封松林.低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究,红外与毫米波学报,2000,19(3):177 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
