InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs自组织生长的量子点的电学性质，测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为0.26eV。首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒，相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助。 成功地用深能级瞬态谱(DLIS)研究了p型InAs自组织生长的量子点的电学性质，测得2.5原子层InAs量子点空穴基态能级在GaAs价带底上约0.09eV,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为0.26eV。首次利用DLTS测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒，相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5234.pdf: 359270 bytes, checksum: b6b187dfc4880915e14562f0d583c465 (MD5) Previous issue date: 1999 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王海龙;朱海军;宁东;陈枫;封松林.InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒,红外与毫米波学报,1999,18(5):397 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
