快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
系统地研究了快速热退火对带有3nm In_xGa_(1-x)As(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃，量子点发光峰的蓝移趋势是相似的。但是，量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外，在较高的退火温度下观测到InGaAs的发光峰。 国家自然科学基金,国家先进材料委员会资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏永强;刘会云;徐波;丁鼎;梁基本;王占国.快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）,半导体学报,2001,22(6):684 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
