1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料，并制成发光二极管，对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰，分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明，由于能态填充效应的影响，适当增大量子点发光器件有源区长度，更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。 用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料，并制成发光二极管，对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰，分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明，由于能态填充效应的影响，适当增大量子点发光器件有源区长度，更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5032.pdf: 266545 bytes, checksum: 1dd72bdd0bfa2259e6ced2991a63c46e (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（No. 6 176 6）,国家自然科学基金（No. 6 2541 ）,中国科学院纳米科学与技术资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（No. 6 176 6）,国家自然科学基金（No. 6 2541 ）,中国科学院纳米科学与技术资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孔云川;周大勇;澜清;刘金龙;苗振华;封松林;牛智川.1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究,人工晶体学报,2002,31(6):551-554 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
