InAs自组织量子点（线）的制备和表征
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料，通过改变生长方式，得到了InAs量子点和量子线。根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析，认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件，停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[1(1-bar)0]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点。讨论了量子点和量子线的形成机量。 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料，通过改变生长方式，得到了InAs量子点和量子线。根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析，认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件，停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[1(1-bar)0]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点。讨论了量子点和量子线的形成机量。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5043.pdf: 346166 bytes, checksum: 29bb62a7f9deeb4a07aabf5e3daad836 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金资助项目69876 37 北京石油化工学院;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目69876 37 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
武光明;李月法;贾锐.InAs自组织量子点（线）的制备和表征,材料研究学报,2002,16(5):490-494 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
