InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
用简并激发-探测技术研究了77K温度下InAs/GaAs量子点中载流子快速俘获的弛豫过程。在瞬态反射谱测量中，除观察到与GaAs有关的驰豫过程外(时间常数约为1ps)，还观察到一个时间常数为几个至20ps的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被InAs层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。 国家自然科学基金,国家973计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李晴;徐仲英;葛惟昆.InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究,红外与毫米波学报,2000,19(5):343 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
