分子束外延材料表面椭圆缺陷的研究进展

综述了分子束外延材料的表面缺陷的种类、特征、起因、消除方法等，介绍了可能导致椭圆缺陷产生的重要因素，如Ga小液滴、Ga的氧化物及衬底沾污等，并提出相应的改进措施。

功率MOSFET反向特性的分析模拟

对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措旋,并得到了与实际相符合的结论.

Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.

多孔硅中的电子激发态及其光谱研究

用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰.

Effects of non-abrupt interface on waveguide properties of sitle/Si MQW photodetector

于2010-11-23批量导入

Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究

于2010-11-23批量导入

多量子阱空间光调制器二维列阵

用MBE技术生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料,研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵,对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析。

高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器

用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力。批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mW,标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实验要求。

匹配In（0.53）Ga（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

于2010-11-23批量导入

MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图

基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。

MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法

采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂。表明当InGaAs层厚度较厚(-2μm)时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态。其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数(△α/α-10~(-3))。并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变。在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x。

半导体微腔物理及其应用

半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。

50周期的In（0.3）Ga（0.7）As/GaAs应变超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

在位错密度不同的LEC半绝缘(SI)GaAs衬底上离子注入制做MESFETs,观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响。结果表明，衬底中高位错密度可以拟制旁栅效应。

流体静压下研究电场畴的形成机制

利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中电场畴的形成机制。对于第一个电流类平台区域，观察到两种级联菜振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Г-Г级联共振隧穿过程，而当p>2kbar时，高场畴为Г-X级联共振隧穿过程。对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Г-X级联共振隧穿。