多孔硅中的电子激发态及其光谱研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰. 用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:46导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5798.pdf: 377777 bytes, checksum: 109013f75060807bd4a7939f02d64477 (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
薛舫时.多孔硅中的电子激发态及其光谱研究,半导体学报,1997,18(3):161 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
