多量子阱空间光调制器二维列阵
Data(s) |
1997
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Resumo |
用MBE技术生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料,研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵,对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试,并对列阵的均匀性进行了分析。 用MBE技术生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料,研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵,对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试,并对列阵的均匀性进行了分析。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:48导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5806.pdf: 154282 bytes, checksum: 9d3704948797db3172443cfba555a683 (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
陈弘达;吴荣汉;高文智;陈志标;杜云.多量子阱空间光调制器二维列阵,半导体学报,1997,18(5):356 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |