半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
在位错密度不同的LEC半绝缘(SI)GaAs衬底上离子注入制做MESFETs,观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响。结果表明，衬底中高位错密度可以拟制旁栅效应。 在位错密度不同的LEC半绝缘(SI)GaAs衬底上离子注入制做MESFETs,观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响。结果表明，衬底中高位错密度可以拟制旁栅效应。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5821.pdf: 148712 bytes, checksum: b9522e188984e51bc471837ba707d7e1 (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴巨;何宏家;范缇文;王占国.半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响,半导体学报,1997,18(7):558 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
