Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移. 采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5793.pdf: 455163 bytes, checksum: e63f4528cec2661d0e0c9c77abeebcb4 (MD5) Previous issue date: 1997 国家863计划 中科院半导体所;中科院物理所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨沁清;钱毅;董文甫;王启明;崔堑;黄绮;周均铭.Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性,半导体学报,1997,18(1):10 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
