流体静压下研究电场畴的形成机制
| Data(s) |
1997
|
|---|---|
| Resumo |
利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中电场畴的形成机制。对于第一个电流类平台区域，观察到两种级联菜振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Г-Г级联共振隧穿过程，而当p>2kbar时，高场畴为Г-X级联共振隧穿过程。对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Г-X级联共振隧穿。 利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中电场畴的形成机制。对于第一个电流类平台区域，观察到两种级联菜振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Г-Г级联共振隧穿过程，而当p>2kbar时，高场畴为Г-X级联共振隧穿过程。对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Г-X级联共振隧穿。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5822.pdf: 263245 bytes, checksum: 4a6a38589d7c5d0718058eab741e9733 (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙宝权;刘振兴;江德生.流体静压下研究电场畴的形成机制,半导体学报,1997,18(7):554 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
