Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:48导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5805.pdf: 133671 bytes, checksum: 69220f0fd7cf1695a1c376fe17b62f24 (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李慧;马辉;丁维清;秦复光.Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究,半导体学报,1997,18(4):264 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
