高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力。批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mW,标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实验要求。 用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力。批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mW,标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实验要求。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:49导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5810.pdf: 196039 bytes, checksum: 7dbe018c5fe5e473c78904f5182dc4f6 (MD5) Previous issue date: 1997 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
熊飞克;郭良;马骁宇;王树堂;陈良惠.高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器,半导体学报,1997,18(6):424 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
