半导体微腔物理及其应用


Autoria(s): 郑厚植
Data(s)

1997

Resumo

半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。

半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。

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中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19455

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104365

Idioma(s)

中文

Fonte

郑厚植.半导体微腔物理及其应用,半导体学报,1997,18(7):481

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文