半导体微腔物理及其应用
Data(s) |
1997
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Resumo |
半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。 半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:51导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5816.pdf: 492104 bytes, checksum: 0ab78693145f0263dfec6c05473583b7 (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
郑厚植.半导体微腔物理及其应用,半导体学报,1997,18(7):481 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |