MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。 基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH_3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图。Gan的MOVPE相图由GaN(s)单凝聚相区、GaN(s)+Ga(1)双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成。着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH_3分解率和V/III比对GaN单凝聚相区边界的影响。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:50导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5813.pdf: 357380 bytes, checksum: 1330c403ae30acb3881caaee4c35c7e7 (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
段树坤;陆大成.MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图,半导体学报,1997,18(5):385 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
