功率MOSFET反向特性的分析模拟
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措旋,并得到了与实际相符合的结论. 对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措旋,并得到了与实际相符合的结论. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5792.pdf: 231033 bytes, checksum: 6d911b97f66c5d74c13b6ee7f86e9ec4 (MD5) Previous issue date: 1997 西安理工大学;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周宝霞;陈治明;王守觉.功率MOSFET反向特性的分析模拟,半导体学报,1997,18(1):32 |
| Palavras-Chave | #人工智能 |
| Tipo |
期刊论文 |
