1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。

In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究

于2010-11-23批量导入

LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性

国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。

LP-MOVPE生长的1.3μmInGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

于2010-11-23批量导入

匹配In（0.53）Ga（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

于2010-11-23批量导入

In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

于2010-11-23批量导入

刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性

于2010-11-23批量导入

InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

于2010-11-23批量导入

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。

InP的MOVPE生长

利用常压MOVPE设备和国产的三甲基铟以及进口的磷烷生长了InP处延材料,其77K迁移 率为65300cm~2/V·s,是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值.

InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器

一种电流控制型二端及三端MOW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果.

InGaAsP/InP PFBH激光器

采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导多次，该文介绍用P-InP衬底研制InFaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于100℃。