InP的MOVPE生长
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
利用常压MOVPE设备和国产的三甲基铟以及进口的磷烷生长了InP处延材料,其77K迁移 率为65300cm~2/V·s,是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘祥林;陆大成;王晓晖;汪度;董建荣.InP的MOVPE生长,光子学报,1996,25(2):153 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
