InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
一种电流控制型二端及三端MOW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果. 一种电流控制型二端及三端MOW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:38导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5934.pdf: 229648 bytes, checksum: b1fa3340040d94ded8aed4dde1743577 (MD5) Previous issue date: 1996 国家863计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张权生;石志文;杜云;颜学进;赵军.InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器,半导体学报,1996,17(11):813 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
