LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志杰;陈博;王圩;张济志;朱洪亮;周帆;王玉田;金才政;马朝华.LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性,光子学报,1997,26(5):418 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
