In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5754.pdf: 339468 bytes, checksum: befc75f08ef8468f4c18d98406662b27 (MD5) Previous issue date: 1997 国家863计划 中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓亮;孙殿照;孔梅影;侯洵;曾一平;李建平;李灵霄;朱世荣.In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究,红外与毫米波学报,1997,16(1):1 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
