In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究


Autoria(s): 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平
Data(s)

1997

Resumo

国家863计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19453

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104364

Idioma(s)

中文

Fonte

王晓亮;孙殿照;孔梅影;侯洵;曾一平.In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究,半导体学报,1997,18(7):502

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文