InGaAsP/InP PFBH激光器
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导多次，该文介绍用P-InP衬底研制InFaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于100℃。 采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导多次，该文介绍用P-InP衬底研制InFaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于100℃。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:42导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5944.pdf: 329052 bytes, checksum: e21ad196c960273ceba5015d9b9c1aea (MD5) Previous issue date: 1996 国家863计划,五年计划 中科院半导体所 国家863计划,五年计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张静媛;王圩;汪孝杰;田慧良.InGaAsP/InP PFBH激光器,高技术通讯,1996,6(12):10 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
