1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。 在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5727.pdf: 302897 bytes, checksum: 85e27a3f929b3336873adc90c46415c2 (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈博;王圩;张静媛;汪孝杰;周帆;朱洪亮;边静;马朝华.1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器,半导体学报,1998,19(10):793 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
